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Titre :
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Modélisation du transistor bipolaire intégré
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Titre de série :
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Modélisation du transistor bipolaire intégré, 1
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Auteurs :
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Philippe Cazenave, Metteur en scène, réalisateur
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Type de document :
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texte imprimé
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Editeur :
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Paris : Hermès science publications, 2004
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Collection :
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Traité EGEM
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Sous-collection :
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Electronique et micro-électronique
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ISBN/ISSN/EAN :
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978-2-7462-0987-9
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Format :
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335 p. / ill. / 24 x 16 cm
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Note générale :
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Index
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Langues:
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Français
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Index. décimale :
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621.5
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Mots-clés:
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circuits intégrés bipolaires
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Résumé :
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Description des mécanismes de 1er ordre dans le transistor bipolaire. Donne la liste des phénomènes de 2e ordre, détaille le modèle dynamique homologue du modèle d'Ebers et Moll. Détaille l'établissement du modèle de Gummel et Poon et présente la version utilisateur H-SPICE. Présentation technologique des structures bipolaires intégrées au silicium.
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