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Titre :
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Modélisation du transistor bipolaire intégré
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Titre de série :
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Modélisation du transistor bipolaire intégré, 2
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Auteurs :
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Philippe Cazenave, Metteur en scène, réalisateur
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Type de document :
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texte imprimé
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Editeur :
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Paris : Hermès science publications, 2005
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Collection :
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Traité EGEM
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Sous-collection :
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Electronique et micro-électronique
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ISBN/ISSN/EAN :
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978-2-7462-1172-8
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Format :
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234 p. / ill. / 24 x 16 cm
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Note générale :
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Index
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Langues:
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Français
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Index. décimale :
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621.5
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Mots-clés:
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transistors à jonctions
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Résumé :
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Description des spécificités des transistors bipolaires à hétérojonctions. Les HBT de type III-V et le HBT SI/SiGe sont détaillés. Présentation de trois modèles bipolaires compacts destinés à remplacer le modèle traditionnel SPICE. Point sur les méthodes d'extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires.
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